铠侠与闪迪推出十代QLC 3D闪存 332层NAND

　　铠侠株式会社宣布与闪迪公司共同推出下一代四层单元(QLC3D闪存技术。新产品相比双方第八代技术，实现最高 60% 位密度提升(超37Gb/mm²)。

　　据介绍，第十代 QLC NAND 闪存采用了双方自主研发的 CMOS 直接键合阵列(CBA)技术，可在不同的晶圆上制造 CMOS 逻辑电路、存储阵列，随后通过高精度晶圆对晶圆(Wafer-to-Wafer)技术进行键合。第十代QLC 3D山村采用了332层NAND堆叠技术，并通过 Toggle DDR6.0、独立命令地址协议(SCA)提升 60% 位密度。